非対称多重量子井戸構造の形成方法
文献类型：专利
| 作者 | 伊賀 龍三; 山田 武; 杉浦 英雄 |
| 发表日期 | 1994-11-15 |
| 专利号 | JP1994318546A |
| 著作权人 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 非対称多重量子井戸構造の形成方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 複雑なプロセスを用いずに一回の成長で面内方向に異なったバンドギャップ波長を持つ非対称量子多重井戸層を作製することが可能となる非対称多重量子井戸構造の形成方法を提供することにある。 【構成】 非対称多重量子井戸構造の形成方法は、有機金属分子線エピタキシ装置を用いて、基板に半導体薄膜を成長させて井戸層がバンドギャップの異なる2種類の半導体膜からなる非対称多重量子井戸構造を形成する際に、非対称量子井戸の形成時にバンドギャップの大きい半導体膜からなる井戸層の領域1とバンドギャップの小さい半導体膜からなる井戸層の領域2の少なくとも一方の膜成長中に光照射3を行う。 |
| 公开日期 | 1994-11-15 |
| 申请日期 | 1993-05-06 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64077]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 伊賀 龍三,山田 武,杉浦 英雄. 非対称多重量子井戸構造の形成方法. JP1994318546A. 1994-11-15. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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