半導体レーザとその製法
文献类型：专利
| 作者 | 橋津 敏宏 |
| 发表日期 | 1995-03-31 |
| 专利号 | JP1995086690A |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザとその製法 |
| 英文摘要 | 【目的】 共振器面積の縮小化をはかり、低動作電流、低しきい値電流化をはかるとともに、確実かつ容易に量産的製造を可能にする。 【構成】{100}結晶面を主面とする第1導電型の化合物半導体基体1上に、結晶軸方向に沿って形成されたリッジ2上にそれぞれ{111}B結晶面より成る相対向する対の斜面3A及び3Bにより挟まれて形成された断面ほぼ台形の少なくとも第1導電型の第1のクラッド層11と、活性層10と、第2導電型の第2のクラッド層12とを有する半導体レーザ部4を構成し、上記{111}B結晶面を共振器の反射面及び光出射端面とする。 |
| 公开日期 | 1995-03-31 |
| 申请日期 | 1993-09-14 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64097]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 橋津 敏宏. 半導体レーザとその製法. JP1995086690A. 1995-03-31. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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