半導体装置、半導体レーザ等の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 植野 紀子; 田口 歩; 成井 啓修; 岡野 展賢 |
| 发表日期 | 1999-11-30 |
| 专利号 | JP1999330611A |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体装置、半導体レーザ等の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 半導体レーザの製造において、エッチングで形成される凸状ストライプのストライプ幅のばらつきの低減を図る。 【解決手段】 凸状ストライプを有する半導体基板上にクラッド層、活性層を含むエピタキシャル層を成長させてなる半導体レーザの製造方法であって、半導体基板31に凸状ストライプ33を形成するためのエッチング工程と、エッチング後の半導体基板31を洗浄する工程を有し、洗浄は、半導体基板31を超音波で振動させた洗浄槽35中に浸漬して行う。 |
| 公开日期 | 1999-11-30 |
| 申请日期 | 1998-05-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64108]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 植野 紀子,田口 歩,成井 啓修,等. 半導体装置、半導体レーザ等の製造方法. JP1999330611A. 1999-11-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。