半導体素子、半導体発光素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 林 伸彦; 太田 潔 |
| 发表日期 | 2000-03-31 |
| 专利号 | JP2000091696A |
| 著作权人 | 三洋電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体素子、半導体発光素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 エッチングの深さを精度良く制御することが可能でかつ再現性の高い半導体素子および半導体発光素子の製造方法を提供することである。 【解決手段】 サファイア基板1上に透明なn-AlGaN第1クラッド層6、透明なMQW発光層7および透明なp-AlGaN第2クラッド層8を連続的に成長させ、さらにこの上に、基板温度600〜750℃でp-InGaNからなる不透明な低温成長層9を成長させる。さらに、透明なp-AlGaN第3クラッド層10およびp-GaNコンタクト層11を順に成長させる。次に、p-コンタクト層11上のストライプ状領域にNiマスク16を形成し、p-コンタクト層11からp-低温成長層9までの一部領域をRIE法によりエッチングして除去すると、不透明なp-低温成長層9が除去された領域の半導体ウエハ表面が不透明から透明に変化する。 |
| 公开日期 | 2000-03-31 |
| 申请日期 | 1998-09-14 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64114]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 林 伸彦,太田 潔. 半導体素子、半導体発光素子およびその製造方法. JP2000091696A. 2000-03-31. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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