光変調器集積化光源素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 永沼 充; 笠谷 和生; 小高 勇; 脇田 紘一 |
| 发表日期 | 1994-07-15 |
| 专利号 | JP1994196797A |
| 著作权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光変調器集積化光源素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 反射,散乱,吸収損失の少ない高性能な集積化光源素子を実現する。 【構成】 n-InP基板1の表面に幅100μm,長さ600μmの2本のSiO2選択成長マスク16を10μmの間隔をもって形成した後、有機金属気相成長法により、n-InPクラッド層2を0.1μm,次いで10nmのInGaAsを井戸層とし、波長3μm相当のInGaAsP10nmを障壁層とする量子井戸構造6層からなる活性層3,波長3μm相当のInGaAsPガイド層4を0.1μmを成長する。この状態で導波路コアとなるべきMQW構造活性層は1回の成長で滑らかに接続されて形成される。 |
| 公开日期 | 1994-07-15 |
| 申请日期 | 1991-06-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64115]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 永沼 充,笠谷 和生,小高 勇,等. 光変調器集積化光源素子およびその製造方法. JP1994196797A. 1994-07-15. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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