エピタキシャル再成長が後続する酸素イオン注入による表面放出レーザ
文献类型：专利
| 作者 | シ-ユアン·ワン; マイクル·アール·ティ·タン |
| 发表日期 | 1993-08-27 |
| 专利号 | JP1993218575A |
| 著作权人 | アジレント·テクノロジーズ·インク |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | エピタキシャル再成長が後続する酸素イオン注入による表面放出レーザ |
| 英文摘要 | (修正有) 【目的】活性層の小領域を囲む絶縁分離領域を形成し、電流を小領域に閉じ込めることができる表面放出半導体レーザ装置を提供する。 【構成】半導体基板30の頂部に第1群の鏡層32をエピタキシャル成長させ、その上に活性層34を成長させる。活性層34に小さな活性領域34′を除いて酸素イオンを注入し絶縁分離領域34″が形成される。活性領域には電流が流れるとほぼ単色でコヒーレントな放射を発生するPn接合が含まれる。酸素注入後、活性層34の頂部に第2群の鏡層38を成長させ、活性領域34′で発生した光を再び活性領域へ戻し、より多くの放射を誘導する。同じ目的で活性領域の下にも鏡層32が存在する。上記構成の頂部と底面に接触層が設けられ、両接触層間に電力が印加されると、活性領域を通って電流が流れ放射を発生する。絶縁分離領域34″が活性領域を流れる電流を制限し、レーザ効率を向上させる。 |
| 公开日期 | 1993-08-27 |
| 申请日期 | 1992-10-01 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64122]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | アジレント·テクノロジーズ·インク |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | シ-ユアン·ワン,マイクル·アール·ティ·タン. エピタキシャル再成長が後続する酸素イオン注入による表面放出レーザ. JP1993218575A. 1993-08-27. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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