半導体結晶のエッチング方法
文献类型：专利
| 作者 | 菊 地 理 恵; 井 戸 田 健 |
| 发表日期 | 1993-07-23 |
| 专利号 | JP1993182947A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体結晶のエッチング方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 AlGaInP半導体結晶におけるAlGaInPとGaInPの選択性が高く、制御が容易で再現性が良く、短時間に高精度にエッチングが行なえること。 【構成】 AlGaInPクラッド層をエッチングする際は、硫酸エッチング液の温度を29°C以上に設定し、この層のエッチングが終了した時点で硫酸エッチング液の温度を28°C以下に下げ、下層のGaInPエッチング阻止層のエッチングを防止する。硫酸エッチング液の温度が28°C以下では、AlGaInPに対するGaInPの比すなわち選択比は無限大になり、AlGaInPはエッチングされるものの、GaInPはエッチングされない。したがって、初めから硫酸エッチング液の温度を28°C以下に設定してエッチングを行なってもよい。 |
| 公开日期 | 1993-07-23 |
| 申请日期 | 1991-12-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64123]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 菊 地 理 恵,井 戸 田 健. 半導体結晶のエッチング方法. JP1993182947A. 1993-07-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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