Visible light semiconductor laser
文献类型：专利
| 作者 | AOYANAGI TOSHITAKA; SHIGIHARA KIMIO |
| 发表日期 | 1991-02-19 |
| 专利号 | JP1991038082A |
| 著作权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | Visible light semiconductor laser |
| 英文摘要 | PURPOSE:To increase a current constricting effect and to contrive the improvement of the reliability of the title laser by a method wherein an AlzGa1-zAs layer is formed between at least one side of between a GaAs substrate and a lower clad layer or between a GaAs contact layer and an upper clad layer. CONSTITUTION:An N-type AlzGa1-zAs layer (0 |
| 公开日期 | 1991-02-19 |
| 申请日期 | 1989-07-04 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64126]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | AOYANAGI TOSHITAKA,SHIGIHARA KIMIO. Visible light semiconductor laser. JP1991038082A. 1991-02-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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