半導体素子及びその作製方法
文献类型：专利
| 作者 | 中塚 慎一; 右田 雅人; 大家 彰; 後藤 順; 百瀬 正之 |
| 发表日期 | 1995-02-14 |
| 专利号 | JP1995045911A |
| 著作权人 | 株式会社日立製作所 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体素子及びその作製方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 II-VI族などの低抵抗の電気的接触を得ることが難しい半導体に良好なオ-ミック接触を形成することを可能とする。 【構成】 半導体素子の構成元素のうち一つ又は複数の構成元素の混合物のうち金属状態をとりえる元素を電極の一部として用いる。このような電極は、半導体素子の結晶成長を行う分子線結晶成長装置により半導体結晶を形成した後に上記金属状態をとりうる構成元素の分子線を照射することにより容易に形成できる。 【効果】 電極と半導体の中間状態の半金属を介して接合を形成することが可能となり障壁を形成せずに金属電極を形成することが可能となり、ワイドギャップの半導体に容易に低抵抗のオ-ミック電極が形成できる。 |
| 公开日期 | 1995-02-14 |
| 申请日期 | 1993-08-03 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64128]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社日立製作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中塚 慎一,右田 雅人,大家 彰,等. 半導体素子及びその作製方法. JP1995045911A. 1995-02-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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