量子井戸構造及び半導体素子
文献类型：专利
| 作者 | 宇佐見 正士; 松島 裕一 |
| 发表日期 | 2000-04-07 |
| 专利号 | JP2000101199A |
| 著作权人 | KDD CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 量子井戸構造及び半導体素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 量子井戸構造における、井戸間のキャリア分布を均一にする。 【解決手段】 井戸層14aと障壁層14bの価電子帯エネルギーの差を10meV〜50meVにする。 |
| 公开日期 | 2000-04-07 |
| 申请日期 | 1998-09-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64142]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | KDD CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宇佐見 正士,松島 裕一. 量子井戸構造及び半導体素子. JP2000101199A. 2000-04-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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