発光素子およびそれを用いたレーザCRT
文献类型：专利
| 作者 | 浅野 竹春; 船戸 健次; 戸田 淳 |
| 发表日期 | 1995-12-22 |
| 专利号 | JP1995335990A |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 発光素子およびそれを用いたレーザCRT |
| 英文摘要 | 【目的】 高効率の発光素子とそれを用いたレーザCRTを提供すること。 【構成】 本発明の発光素子1は活性層2を第1のクラッド層3と第2のクラッド層4とで挟んだDH構造であり、第1、第2のクラッド層3、4としてZnMgSeTeから成る材料を用いる。またこの第1、第2のクラッド層3、4を用いるとともに活性層2としてZnTeを用いたり、ZnCdSeTeを用いたり、ZnMgSeTeを用いたりする。また本発明のレーザCRTは上記発光素子1の活性層2としてZnTeを用いて緑色レーザ光を出射し、ZnCdSeTeを用いて赤色レーザ光を出射し、ZnMgSeTeを用いて青色レーザ光を出射しこれらをスクリーン上に照射して所望の画像を得るようにしたものである。 |
| 公开日期 | 1995-12-22 |
| 申请日期 | 1994-06-14 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64146]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 浅野 竹春,船戸 健次,戸田 淳. 発光素子およびそれを用いたレーザCRT. JP1995335990A. 1995-12-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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