窒化物半導体レーザ用サブマウントおよびこれを用いた窒化物半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 矢吹 義文; 大藤 良夫; 水野 崇 |
| 发表日期 | 2004-01-15 |
| 专利号 | JP2004014795A |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化物半導体レーザ用サブマウントおよびこれを用いた窒化物半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】不良品率を低減させ、電極間のショートを防止することができるようにした窒化物半導体レーザ用サブマウントを提供する。 【解決手段】p側電極61に対応する溶着層22の幅は、p側電極61の幅よりも狭くなっている。溶着層22の下のはみ出し防止層23には、溶着層22の対向する2辺22D,22Eおよびこれらに交差する辺22Fに沿って、溶着層22で被覆されない露出領域23Aが設けられている。はみ出し防止層23は、溶着層22になじまない金属により形成されており、露出領域23Aによって、溶着層22が辺22D,22E,22Fにおいてはみ出すことを防止することができる。辺22Fは、レーザチップ60のフロント側に対応していることが好ましい。辺22Gでは、溶着層22がはみ出し防止層23を被覆すると共にはみ出し防止層23を越えて延長された逃げ領域22Hが設けられている。 【選択図】 図4 |
| 公开日期 | 2004-01-15 |
| 申请日期 | 2002-06-06 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64148]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 矢吹 義文,大藤 良夫,水野 崇. 窒化物半導体レーザ用サブマウントおよびこれを用いた窒化物半導体レーザ. JP2004014795A. 2004-01-15. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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