II-VI族化合物半導体及びその形成方法
文献类型：专利
| 作者 | 樋江井 太; 伊藤 哲; 秋本 克洋 |
| 发表日期 | 1994-11-25 |
| 专利号 | JP1994326138A |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | II-VI族化合物半導体及びその形成方法 |
| 英文摘要 | 【目的】高いネットアクセプター濃度(Na-Nd)を有するp型のII-VI族化合物半導体、及びその形成方法を提供する。 【構成】本発明のII-VI族化合物半導体は、I族元素、V族元素及び酸素元素をp型ドーパントとして含んで成る。II-VI族化合物半導体の形成方法は、基板上に、I族元素、V族元素及び酸素元素をp型ドーパントとして含んで成るp型II-VI族化合物半導体層を分子線エピタキシー法にて形成する。 |
| 公开日期 | 1994-11-25 |
| 申请日期 | 1993-05-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64161]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 樋江井 太,伊藤 哲,秋本 克洋. II-VI族化合物半導体及びその形成方法. JP1994326138A. 1994-11-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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