立方晶III族窒化物半導体発光素子およびその作製方法
文献类型：专利
| 作者 | 田中 秀尚; 中平 篤 |
| 发表日期 | 1998-06-26 |
| 专利号 | JP1998173283A |
| 著作权人 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 立方晶III族窒化物半導体発光素子およびその作製方法 |
| 英文摘要 | 【課題】III族窒化物半導体において単一横モードの導波ストライプ構造を実現し、電極コンタクト面積が大きく、コンタクト抵抗の低い素子を実現し、これにより発熱の減少および動作電圧の低減により外部発光効率を大幅に向上する。 【解決手段】半導体基板の(001)面上に積層した立方晶III族窒化物ヘテロ構造と、このヘテロ構造に対して[1-10]方向に逆台形をしたストライブ形状の電流注入狭窄および導波構造を有する窒化物半導体発光素子、およびその作製方法であって、立方晶III族窒化物半導体基板上に[1-10]方向のストライプ形状のエッチングマスクを形成する工程と、基板を水素もしくはハロゲンガスを含む水素雰囲気中で加熱して、露出した半導体部分をエッチングする工程を含む素子の作製方法とする。 |
| 公开日期 | 1998-06-26 |
| 申请日期 | 1996-12-16 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64163]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 田中 秀尚,中平 篤. 立方晶III族窒化物半導体発光素子およびその作製方法. JP1998173283A. 1998-06-26. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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