半導体レーザアレイとその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 岩井 則広; 松本 成人; 菅田 純雄 |
| 发表日期 | 1993-04-23 |
| 专利号 | JP1993102616A |
| 著作权人 | FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザアレイとその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 MBE法による一回の連続した結晶成長により製造可能な半導体レーザアレイとその製造方法を提供する。 【構成】 複数のメサ形状を有する半導体基板11上に下部クラッド層12、活性層13、上部クラッド層14を順次積層した半導体レーザアレイにおいて、上部クラッド層14または下部クラッド層12は両性不純物がドーピングされた3-5族化合物半導体層からなり、前記ドーピングされたクラッド層の電気抵抗がメサ側面においてメサ上面よりも高くなるようにする。 |
| 公开日期 | 1993-04-23 |
| 申请日期 | 1991-10-09 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64164]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 岩井 則広,松本 成人,菅田 純雄. 半導体レーザアレイとその製造方法. JP1993102616A. 1993-04-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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