インデックスガイド半導体ダイオードレーザを作製する方法
文献类型：专利
| 作者 | ケヴィン ジェイ.ビアニンク; デービッド ピー.ボアー; トーマス エル.パオリ; ロス ディー.ブリンガンス; グレゴリー ジェイ.コヴァクス |
| 发表日期 | 1996-09-13 |
| 专利号 | JP1996236859A |
| 著作权人 | ゼロックス コーポレイション |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | インデックスガイド半導体ダイオードレーザを作製する方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 不純物誘起層無秩序化(IILD)によって作製され、分岐リーク電流を減ずるために、半導体タイプの変換を要しないインデックスガイド半導体レーザの製造を提供する【解決手段】 次の工程を有する。(a)半導体基体上に、低部クラッド層と、活性層と、上部クラッド層と、上部クラッド層上のキャップ層とを含む半導体物質の層を設ける。(b)前記の層をストライプ領域の側部に位置する構造体領域に組み入れて、キャップ層からそこを通して、活性層の下のレベルまで下方に延び、かつ活性層よりも低い屈折率を有する側部無秩序化領域を形成する。なお、の無秩序化領域は、上部クラッド層とキャップ層とが逆の半導体タイプであり、且つ無秩序化領域とキャップ層との界面に、分岐接合を形成する表面部分を有する。(c)キャップ層に隣接する無秩序化領域の表面を置換し、分岐電流を防止するのに効果的な非導通性物質でシャントジャンクションを形成する。 |
| 公开日期 | 1996-09-13 |
| 申请日期 | 1995-12-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64176]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ゼロックス コーポレイション |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | ケヴィン ジェイ.ビアニンク,デービッド ピー.ボアー,トーマス エル.パオリ,等. インデックスガイド半導体ダイオードレーザを作製する方法. JP1996236859A. 1996-09-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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