半導体活性素子
文献类型：专利
| 作者 | 山田 敦史; 浅井 昭彦 |
| 发表日期 | 1994-01-14 |
| 专利号 | JP1994005983A |
| 著作权人 | ANRITSU CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体活性素子 |
| 英文摘要 | 【目的】端面反射率を充分抑圧でき、かつ良好な遠視野像を得ることができる半導体活性素子を提供することを目的とする。 【構成】半導体基板上に形成されたダブルヘテロ導波路層2と、ダブルヘテロ導波路層からの光の出射端面に形成された窓領域4とを備えた半導体活性素子において、窓領域は基板と実質的に同等な素材で、基板からダブルヘテロ導波路層の上方まで延びる高さを有し、その上端面には光反射層12を備え、導波路の軸方向に延びた位置に在る端面はダブルヘテロ導波路層に垂直な面に対し傾斜している。 |
| 公开日期 | 1994-01-14 |
| 申请日期 | 1992-06-19 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64188]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ANRITSU CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山田 敦史,浅井 昭彦. 半導体活性素子. JP1994005983A. 1994-01-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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