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多重量子障壁構造を有する光素子

文献类型:专利

作者入川 理徳; 岩瀬 正幸; 佐々木 義高; 柏 享; 伊賀 健一
发表日期1994-09-22
专利号JP1994268329A
著作权人古河電気工業株式会社
国家日本
文献子类发明申请
其他题名多重量子障壁構造を有する光素子
英文摘要【目的】 長波帯光素子のキャリアオーバーフローを低減させることができる多重量子障壁構造を有する光素子を提供する。 【構成】 一組のクラッド層と、該一組のクラッド層の間にある、GaInAs(P)もしくはAlGaInAs層を含む活性層を有する光素子であって、前記活性層と前記各クラッド層の間もしくは各クラッド層内の少なくとも一か所に多重量子障壁構造が設けられ、該多重量子障壁構造は、井戸層厚さLW と障壁層厚さLB の関係が、所定の関係を満たす第1の超格子構造体と、第1の超格子構造体とは材料、組成、もしくは膜厚の少なくとも一つ以上が異なる第2の超格子構造体を含むようにするか、または、井戸層と障壁層に所定の歪みをもたせ、一種類の超格子構造体だけで構成されるようにする。
公开日期1994-09-22
申请日期1993-03-12
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64191]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位古河電気工業株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
入川 理徳,岩瀬 正幸,佐々木 義高,等. 多重量子障壁構造を有する光素子. JP1994268329A. 1994-09-22.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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