半導体光デバイス及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 村上 隆志; 後藤 勝彦 |
| 发表日期 | 1994-07-15 |
| 专利号 | JP1994196809A |
| 著作权人 | 三菱電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体光デバイス及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 段差がない平坦面上に、レーザ出射端面側が薄く、レーザ内部が厚い層厚に形成された活性層を有する半導体レーザ及びその製造方法を得る。 【構成】 GaAs基板1上の該GaAs基板1上に形成されるレーザ共振器の内部に位置する領域に、2つのストライプ状のSiO2 膜9を互いに一定間隔を空けて平行に形成した後、原子層エピタキシーモードの有機金属気相成長法によりAlGaAsクラッド層2aを形成し、次いで、通常モードの有機金属気相成長法によりAlGaAs活性層30a(端面近傍),30b(レーザ内部)を形成し、更に、原子層エピタキシーモードの有機金属気相成長法によりAlGaAsクラッド層4a、GaAsクラッド層5aを形成する。 |
| 公开日期 | 1994-07-15 |
| 申请日期 | 1992-12-22 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64198]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 村上 隆志,後藤 勝彦. 半導体光デバイス及びその製造方法. JP1994196809A. 1994-07-15. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。