半導体レーザおよび製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 田中 清武; 木戸口 勲; 足立 秀人; 高森 晃; 福久 敏哉; 萬濃 正也 |
| 发表日期 | 1997-12-16 |
| 专利号 | JP1997326531A |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザおよび製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 高出力を得られるGaInP/AlGaInP系半導体レーザを提供する。 【解決手段】 GaInP/AlGaInP系半導体レーザの高反射コーティング膜に、ECRCVD装置により形成した水素化アモルファスシリコン膜401を用いる。ECRCVD装置により形成した水素化アモルファスシリコン膜401は屈折率が高く、高反射コーティング膜を形成でき、吸収係数が低くいのでコーティング膜の光学破壊が発生しない。よって高出力の半導体レーザを実現できる。 |
| 公开日期 | 1997-12-16 |
| 申请日期 | 1996-06-04 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64201]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 田中 清武,木戸口 勲,足立 秀人,等. 半導体レーザおよび製造方法. JP1997326531A. 1997-12-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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