窒化物系半導体素子
文献类型：专利
| 作者 | 神川 剛; 川口 佳伸 |
| 发表日期 | 2008-06-26 |
| 专利号 | JP2008147363A |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化物系半導体素子 |
| 英文摘要 | 【課題】信頼性を向上させることが可能な窒化物系半導体素子を提供する。 【解決手段】この窒化物系半導体素子(半導体レーザ素子)は、少なくとも窒化物系半導体各層12〜18を含む半導体レーザ素子部1と、その半導体レーザ素子部1の共振器端面1a(1b)上に形成され、結晶化されたアルミニウムの酸窒化物からなるコーティング膜2(4)とを備えている。そして、コーティング膜2(4)には、シリコンが添加されている。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2008-06-26 |
| 申请日期 | 2006-12-08 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64205]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 神川 剛,川口 佳伸. 窒化物系半導体素子. JP2008147363A. 2008-06-26. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。