半導体レーザ装置、画像表示装置、及び光伝送システム
文献类型：专利
| 作者 | 右田 雅人; 百瀬 正之; 中塚 慎一 |
| 发表日期 | 1998-01-27 |
| 专利号 | JP1998027946A |
| 著作权人 | 株式会社日立製作所 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置、画像表示装置、及び光伝送システム |
| 英文摘要 | 【課題】 波長400から700nmの波長域の実用レベルの性能を有するII-VI族半導体レーザの提供を可能にすること。 【解決手段】 レ-ザ材料と同じII-VI族化合物半導体であるp型ZnTeを基板に用い、クラッド層の組成をZnMgSeTeとすることでレ-ザ共振器を構成する半導体積層構造を基板との格子整合条件を満たした条件で形成する。 【効果】 ZnMgSeTeのクラッド層組成を調整することで所望の発光組成を有する活性層を基板と格子整合させて形成できるため、活性層内で発生する積層欠陥や転位などの欠陥の発生を抑制でき、素子の温度特性も顕著に改善できる。 |
| 公开日期 | 1998-01-27 |
| 申请日期 | 1996-07-11 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64212]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社日立製作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 右田 雅人,百瀬 正之,中塚 慎一. 半導体レーザ装置、画像表示装置、及び光伝送システム. JP1998027946A. 1998-01-27. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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