光双安定半導体レーザ及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 荻田 省一 |
| 发表日期 | 1995-10-13 |
| 专利号 | JP1995263790A |
| 著作权人 | FUJITSU LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光双安定半導体レーザ及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】双安定半導体レーザに関し、高効率で安定で信頼性の高くすること。 【構成】光の進行方向に沿って利得領域12よりも可飽和領域13の膜厚が厚く、該膜厚が該利得領域12から該可飽和領域13にかけて連続的に変化している量子井戸層3を含む。 |
| 公开日期 | 1995-10-13 |
| 申请日期 | 1994-03-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64228]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJITSU LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 荻田 省一. 光双安定半導体レーザ及びその製造方法. JP1995263790A. 1995-10-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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