結晶成長方法および半導体素子
文献类型：专利
| 作者 | 百瀬 正之; 大家 彰; 河田 雅彦; 後藤 順; 中塚 慎一 |
| 发表日期 | 1997-05-20 |
| 专利号 | JP1997135054A |
| 著作权人 | HITACHI LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 結晶成長方法および半導体素子 |
| 英文摘要 | 【課題】元素の拡散を利用することでプロセス工程を簡略化し、組成を連続化させることでバンドギャップの連続化を実現する。 【解決手段】ある特定元素を拡散させるための拡散層を素子構造に導入し、拡散層に光を照射するかもしくは加熱を加えることで上記特定元素を拡散させ、結晶の高抵抗化や超格子構造の崩れを起こして電流狭窄構造を作製する。また、上記特定元素を拡散させることで、組成の連続化を実現する。 |
| 公开日期 | 1997-05-20 |
| 申请日期 | 1995-11-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64231]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 百瀬 正之,大家 彰,河田 雅彦,等. 結晶成長方法および半導体素子. JP1997135054A. 1997-05-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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