半導体レーザとその評価方法および半導体レーザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 山中 通成 |
| 发表日期 | 2008-08-21 |
| 专利号 | JP2008192765A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザとその評価方法および半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 コンタクト抵抗の値や電流狭窄層の絶縁性などの電気特性を直接測定することができる構成を有する半導体レーザを得ること、また、これらの電気特性の評価方法、さらには、このような半導体レーザの製造方法を提供すること。 【解決手段】 基板上に、第1導電型クラッド層、活性層、その一部がリッジ構造を形成する第2導電型クラッド層、電流狭窄層が積層された半導体レーザであって、互いに電気的に分離された複数の電極が、前記リッジ構造を横断するように前記電流狭窄層上に形成されている。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2008-08-21 |
| 申请日期 | 2007-02-02 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64240]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山中 通成. 半導体レーザとその評価方法および半導体レーザの製造方法. JP2008192765A. 2008-08-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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