Verfahren zum Umgehen mit Belastungen und zum Steuern von Verunreinigungen in III-V-Nitrid-Halbleiterfilmen und optoelektronischen Bauelementen
文献类型：专利
| 作者 | CHEN CHANGHUA; GOETZ WERNER; KERN R. SCOTT; KUO CHIHPING |
| 发表日期 | 1999-12-09 |
| 专利号 | DE19905516A1 |
| 著作权人 | AGILENT TECHNOLOGIES INC. (N.D.GES.D.STAATES DELAWARE) |
| 国家 | 德国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | Verfahren zum Umgehen mit Belastungen und zum Steuern von Verunreinigungen in III-V-Nitrid-Halbleiterfilmen und optoelektronischen Bauelementen |
| 英文摘要 | Bei der vorliegenden Erfindung wird eine Grenzflächenschicht zu einer lichtemittierenden Diodenstruktur oder einer Laserdiodenstruktur hinzugefügt, um die Rolle des Umgehens mit Belastungen und des Getterns von Verunreinigungen auszuführen. Eine Schicht aus GaN oder Al¶x¶In¶y¶Ga¶1-x-y¶N (0 x 1, 0 y 1), die mit Mg, Zn, Cd dotiert ist, kann für diese Schicht verwendet werden. Wenn alternativ Al¶x¶In¶y¶Ga¶1-x-y¶N (x > 0) verwendet wird, kann die Schicht undotiert sein. Die Grenzflächenschicht wird direkt auf der Pufferschicht vor dem Wachstum der n-Typ-(GaN:Si-)Schicht und dem Rest der Bauelementestruktur aufgebracht. Die Dicke der Grenzflächenschicht variiert von 0,01 bis 10,0 mum. |
| 公开日期 | 1999-12-09 |
| 申请日期 | 1999-02-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64246]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | AGILENT TECHNOLOGIES INC. (N.D.GES.D.STAATES DELAWARE) |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | CHEN CHANGHUA,GOETZ WERNER,KERN R. SCOTT,et al. Verfahren zum Umgehen mit Belastungen und zum Steuern von Verunreinigungen in III-V-Nitrid-Halbleiterfilmen und optoelektronischen Bauelementen. DE19905516A1. 1999-12-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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