GaN系素子
文献类型：专利
| 作者 | 小池 正好; 永井 誠二; 赤崎 勇; 天野 浩 |
| 发表日期 | 1998-06-26 |
| 专利号 | JP1998173227A |
| 著作权人 | TOYODA GOSEI CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | GaN系素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 超格子構造の量子井戸層とバリア層との界面における組成の急峻性が確保されたGaN系素子を提供する。 【解決手段】 量子井戸層とバリア層とをMOVPE法によって形成し、その上の半導体層、発光素子ではp型の層、をMBE法で形成する。MBE法によれば、量子井戸層及びバリア層をMOVPE法で成長させるときの温度よりも低い温度で半導体層を成長させられる。量子井戸層及びバリア層の上に形成される半導体層の成長温度を量子井戸層及びバリア層の成長温度より低くすれば、かかる温度履歴を量子井戸層とバリア層とが受けたとしても、両者の界面における組成の相違の急峻性は維持される。 |
| 公开日期 | 1998-06-26 |
| 申请日期 | 1996-12-06 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64253]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | TOYODA GOSEI CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小池 正好,永井 誠二,赤崎 勇,等. GaN系素子. JP1998173227A. 1998-06-26. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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