III族窒化物半導体およびその製造方法、およびIII族窒化物半導体装置
文献类型：专利
| 作者 | 松井 俊之 |
| 发表日期 | 2000-06-23 |
| 专利号 | JP2000174393A |
| 著作权人 | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | III族窒化物半導体およびその製造方法、およびIII族窒化物半導体装置 |
| 英文摘要 | 【課題】Si基板上に貫通転位の少なく、割れのない厚さ1μm 以上の厚いエピタキシャル層を有するIII 窒化物半導体とIII 窒化物半導体装置その製造方法を提供する。 【解決手段】半導体基板1上に、または半導体基板上のAlx Gay In1-x-y N(但し、0≦x,y、かつ0≦x+y≦1)からなる第1の III族窒化物半導体層2b上に、マスク3mが局所的に形成されており、さらにAlx GayIn1-x-y N(但し、0≦x,y、かつ0≦x+y≦1)からなる第2の III族窒化物半導層4が積層されてなる III族窒化物半導体において、前記マスクを酸化ケイ素または窒化ケイ素より表面エネルギーの低い材料を用いて形勢する。 |
| 公开日期 | 2000-06-23 |
| 申请日期 | 1998-12-04 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64255]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 松井 俊之. III族窒化物半導体およびその製造方法、およびIII族窒化物半導体装置. JP2000174393A. 2000-06-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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