半導体レーザ素子及びその作製方法
文献类型：专利
| 作者 | 樋口 慶信; 成井 啓修 |
| 发表日期 | 2001-02-16 |
| 专利号 | JP2001044562A |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子及びその作製方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 電流狭窄層をイオン注入法により形成し、しかも、発振閾値電流が高くなく、また、活性層に水平な方向の遠視野像が三峰化しないような構成の半導体レーザ素子の作製方法を提供する。 【解決手段】 半導体基板12上に下クラッド層14、活性層16、上クラッド層18、及びドーパントを含まないキャップ層46を順次エピタキシャル成長させて積層構造を形成する工程と、電流経路形成領域を除いて上クラッド層の上部及びキャップ層にイオン注入して、電流狭窄層44に転化する工程と、AuZn膜を含む多層金属膜48をキャップ層上に成膜する工程と、AuZn膜を含む多層金属膜にアロイ処理を施して、Znをキャップ層に拡散させて、所定のキャリア濃度のキャップ層42に転化すると共にオーミック接合電極を形成する工程とを備える。 |
| 公开日期 | 2001-02-16 |
| 申请日期 | 1999-08-03 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64257]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 樋口 慶信,成井 啓修. 半導体レーザ素子及びその作製方法. JP2001044562A. 2001-02-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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