ワイドバンド半導体光増幅器
文献类型：专利
| 作者 | 井本 克之; 勝山 俊夫 |
| 发表日期 | 2000-04-21 |
| 专利号 | JP2000114670A |
| 著作权人 | HITACHI CABLE LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | ワイドバンド半導体光増幅器 |
| 英文摘要 | 【課題】 広い波長域に亘って平坦な利得特性を有するワイドバンド帯域半導体光増幅器を提供する。 【解決手段】 基板1上に下部クラッド層2、活性層3及び上部クラッド層4を積層し、この上部クラッド層4上に上部電極9を装荷し、前記基板1下に下部電極8を装荷し、前記上部電極9より電流を注入することにより前記活性層3中を伝搬する光が増幅されるようにした半導体光増幅器において、前記活性層3を少なくとも3つの活性層3-1,3-2,3-2´から構成し、これら活性層のうち少なくとも2つの活性層3-1,3-2のバンドギャップ波長λ1 ,λ2 を互いに異ならせた。 |
| 公开日期 | 2000-04-21 |
| 申请日期 | 1998-10-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64260]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI CABLE LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 井本 克之,勝山 俊夫. ワイドバンド半導体光増幅器. JP2000114670A. 2000-04-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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