量子細線構造の作製方法
文献类型：专利
| 作者 | 碓井 彰; 砂川 晴夫 |
| 发表日期 | 1993-11-19 |
| 专利号 | JP1993308138A |
| 著作权人 | 新技術事業団 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 量子細線構造の作製方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 量子細線構造の作製方法に関するもので、特に、二つの量子井戸が交差する部分の量子細線として用いるT型量子細線構造を結晶の劣化なく作成することが可能な作製方法を提供する。 【構成】 バリア層、井戸層からなる量子井戸構造の作製を行った基板結晶表面に、SiO2 などでマスクを形成し(図1(a))、マスクの長辺方向を〔011〕として開口部を形成する。次に、この基板を反応管に挿入してHClガスを主体としたガスにより気相エッチングを行い、(111)B面からなるV字溝をマスク開口部に形成する(図1(b))。引き続いて、この基板を反応管から取り出すことなく連続的に、まず、低いバンドギャップを有する井戸層と、次に大きなバイドギャップを有するバリア層を形成する(図1(c))ことで、二つの量子井戸が交わる部分にT型量子細線構造を作製する。 |
| 公开日期 | 1993-11-19 |
| 申请日期 | 1992-03-09 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64266]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 新技術事業団 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 碓井 彰,砂川 晴夫. 量子細線構造の作製方法. JP1993308138A. 1993-11-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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