半導体量子井戸レーザー構造
文献类型：专利
| 作者 | 山口 敦史 |
| 发表日期 | 1995-07-28 |
| 专利号 | JP1995193324A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体量子井戸レーザー構造 |
| 英文摘要 | 【目的】 【構成】 半導体量子井戸レーザー構造に関し、特に、量子井戸を活性層とする半導体量子井戸レーザー構造に関するもので、量子井戸を活性層とする半導体量子井戸レーザー構造において、(211)面上または(211)面から5度以内の傾斜面上に量子井戸構造を作製することを特徴とする半導体量子井戸レーザー構造を提供するものである。 |
| 公开日期 | 1995-07-28 |
| 申请日期 | 1993-12-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64277]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山口 敦史. 半導体量子井戸レーザー構造. JP1995193324A. 1995-07-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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