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半導体ストライプレーザ

文献类型:专利

作者小倉 睦郎
发表日期1995-12-12
专利号JP1995326819A
著作权人工業技術院長
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体ストライプレーザ
英文摘要【目的】 極めて低いしきい値、理想的には無しきい値での駆動も可能にし得る構造原理を持ち、あるいはまた側面及び出射端面での再結合抑制効果に優れた半導体ストライプレーザを提供する。 【構成】 レーザ発振を起こす活性層23を上下クラッド層21,24で挟み、活性層23の端面からレーザ光を出力する半導体ストライプレーザにおいて、レーザ光の出射端面を含め、活性層23の周囲の全てをクラッド層17で覆う。
公开日期1995-12-12
申请日期1992-12-18
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64281]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位工業技術院長
推荐引用方式
GB/T 7714
小倉 睦郎. 半導体ストライプレーザ. JP1995326819A. 1995-12-12.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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