半導体ストライプレーザ
文献类型:专利
作者 | 小倉 睦郎 |
发表日期 | 1995-12-12 |
专利号 | JP1995326819A |
著作权人 | 工業技術院長 |
国家 | 日本 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 半導体ストライプレーザ |
英文摘要 | 【目的】 極めて低いしきい値、理想的には無しきい値での駆動も可能にし得る構造原理を持ち、あるいはまた側面及び出射端面での再結合抑制効果に優れた半導体ストライプレーザを提供する。 【構成】 レーザ発振を起こす活性層23を上下クラッド層21,24で挟み、活性層23の端面からレーザ光を出力する半導体ストライプレーザにおいて、レーザ光の出射端面を含め、活性層23の周囲の全てをクラッド層17で覆う。 |
公开日期 | 1995-12-12 |
申请日期 | 1992-12-18 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64281] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 工業技術院長 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 小倉 睦郎. 半導体ストライプレーザ. JP1995326819A. 1995-12-12. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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