半導体レーザ素子及びそれを用いた光ディスク装置
文献类型：专利
| 作者 | 川中 敏; 田中 俊明 |
| 发表日期 | 1998-06-09 |
| 专利号 | JP1998154843A |
| 著作权人 | 株式会社日立製作所 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子及びそれを用いた光ディスク装置 |
| 英文摘要 | 【課題】キンクが発生するまでの光出力を高くかつ安定に保つことができ、製造歩留まりの良好な改良された半導体レーザ素子を提供すること。 【解決手段】発光領域となる活性層と当該活性層を上下に挾む二つのクラッド層からなるダブルヘテロ構造を半導体基板上に設け、電流注入を行なうストライプ構造をダブルヘテロ構造に設けた半導体レーザ素子において、ストライプ構造の幅に少なくとも一つの狭隘部を持たせ、幅を共振器の長さ方向に沿って変化させる。 |
| 公开日期 | 1998-06-09 |
| 申请日期 | 1996-11-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64283]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社日立製作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 川中 敏,田中 俊明. 半導体レーザ素子及びそれを用いた光ディスク装置. JP1998154843A. 1998-06-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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