半導体レーザ装置とその製造方法、及び半導体レーザ素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 杉浦 勝己 |
| 发表日期 | 2009-12-10 |
| 专利号 | JP2009290122A |
| 著作权人 | パナソニック株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置とその製造方法、及び半導体レーザ素子の製造方法 |
| 英文摘要 | (修正有) 【課題】歩留まりが良好で、特性の劣化が抑制された半導体レーザ装置とその製造方法、及び半導体レーザ素子の製造方法を提供する。 【解決手段】半導体レーザ装置は、n型基板6と、n型基板6上に形成されたn型クラッド層7と、n型クラッド層7上に形成された活性層9と、活性層9上に形成され、活性層9の上面に達する開口部を有するn型電流ブロック層11と、n型電流ブロック層11上に形成され、開口部を埋めるp型クラッド層12とを備えている。平面的に見て開口部を挟んで設けられ、半導体レーザ素子の共振器端面となる端面領域において、p型クラッド層12を貫通し、底面が活性層9の上面よりも高い位置にあるへき開ガイド溝3が形成されている。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2009-12-10 |
| 申请日期 | 2008-05-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64294]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | パナソニック株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杉浦 勝己. 半導体レーザ装置とその製造方法、及び半導体レーザ素子の製造方法. JP2009290122A. 2009-12-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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