窒化物系化合物半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 杉浦 理砂; 藤本 英俊 |
| 发表日期 | 1998-03-06 |
| 专利号 | JP1998065212A |
| 著作权人 | 株式会社東芝 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化物系化合物半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 GaN系発光素子のコンタクト層あるいはクラッド層の抵抗を低減し、素子の動作電圧を低減し、素子寿命を向上すること。 【解決手段】 窒化物系化合物半導体素子において、コンタクト層あるいはクラッド層が、Ga、Al、In、Bのうちの少なくとも一元素とNとを含む窒化物系化合物半導体にSiとCを1対1の割合で含む化合物半導体により構成されているもの。 |
| 公开日期 | 1998-03-06 |
| 申请日期 | 1996-08-14 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64295]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杉浦 理砂,藤本 英俊. 窒化物系化合物半導体発光素子. JP1998065212A. 1998-03-06. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。