半導体レーザ素子及び半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 伊賀 良彦; 守谷 浩志 |
| 发表日期 | 2008-06-12 |
| 专利号 | JP2008135629A |
| 著作权人 | 日本オクラロ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子及び半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】放熱性が良好な半導体レーザ素子及び半導体レーザ装置の提供。 【解決手段】半導体レーザ素子は、第1の面及び第2の面を有する第1導電型からなる半導体基板と、半導体基板の第1の面上に順次形成される第1導電型の半導体層からなる第1導電型クラッド層、活性層、第2導電型の半導体層からなる第2導電型第1クラッド層、第2導電型の半導体層からなるエッチングストップ層、第2導電型の半導体層からなる第2導電型第2クラッド層、第2導電型の半導体層からなるコンタクト層とを有する。また、半導体レーザ素子は、コンタクト層の上面から半導体基板内に亘って設けられる並列に配置される2本の溝と、前記2本の溝に挟まれるストライプ状のリッジの各側面から溝を含みかつ溝を越えて半導体基板側縁に至る部分を覆う絶縁層と、リッジ及び絶縁層を覆う金属からなる第1の電極と、第1の電極に重ねて設けられ表面が平坦化された金属メッキ層と、半導体基板の前記第2の面に形成される第2の電極とを有する。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2008-06-12 |
| 申请日期 | 2006-11-29 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64300]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本オクラロ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 伊賀 良彦,守谷 浩志. 半導体レーザ素子及び半導体レーザ装置. JP2008135629A. 2008-06-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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