II-VI族化合物半導体の成長方法
文献类型：专利
| 作者 | 野口 裕泰; 奥山 浩之 |
| 发表日期 | 1997-06-06 |
| 专利号 | JP1997148342A |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | II-VI族化合物半導体の成長方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 低結晶欠陥密度で良質のII-VI族化合物半導体を低コストで成長させる。 【解決手段】 分子線エピタキシー法によりII-VI族化合物半導体をIII-V族化合物半導体基板11上に成長させる際に、基板温度300〜550℃においてIII-V族化合物半導体基板11の表面に原子状または活性水素を照射することにより、または、大気圧ないし33Paの圧力の水素ガス雰囲気中において基板温度を580℃以下に保つことにより表面の酸化膜12を除去した後、速やかにその表面にII-VI族化合物半導体層13を成長させる。基板としてII-VI族化合物半導体基板を用いる場合には、基板温度450℃以下においてII-VI族化合物半導体基板の表面に原子状または活性水素を照射することにより酸化膜12を除去する。 |
| 公开日期 | 1997-06-06 |
| 申请日期 | 1995-11-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64313]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 野口 裕泰,奥山 浩之. II-VI族化合物半導体の成長方法. JP1997148342A. 1997-06-06. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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