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半導体レーザ偏向素子

文献类型:专利

作者池田 外充; 山本 敬介
发表日期1993-11-12
专利号JP1993297313A
著作权人キヤノン株式会社
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体レーザ偏向素子
英文摘要【目的】 空間光変調器、光記録等に有用な光源である半導体レーザ偏向素子である。 【構成】 電流注入の可能な半導体レーザ素子[I]と、圧電体層13と電極12、14などから成る変位可能なカンチレバー状光導波路素子[II]とが、同一基板1上にモノリシックに形成される。半導体レーザ素子とカンチレバー状光導波路素子へは独立に電流注入が可能である。半導体レーザ素子から出射した光は、カンチレバー状光導波路素子を通って外部へ偏向して出射される。
公开日期1993-11-12
申请日期1992-04-17
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64316]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位キヤノン株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
池田 外充,山本 敬介. 半導体レーザ偏向素子. JP1993297313A. 1993-11-12.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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