Herstellungsverfahren eines Halbleiterlasers
文献类型：专利
| 作者 | MIYASHITA MOTOHARU |
| 发表日期 | 1995-04-06 |
| 专利号 | DE4435657A1 |
| 著作权人 | MITSUBISHI DENKI K.K. TOKIO/TOKYO JP |
| 国家 | 德国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | Herstellungsverfahren eines Halbleiterlasers |
| 英文摘要 | Bei einem Herstellungsverfahren eines Halbleiterlasers wird nach dem Bilden einer Laminierungsschichtstruktur, welche einen Doppelheteroübergang enthält, der eine aktive Schicht und eine obere und untere Überzugsschicht aufweist, welche die aktive Schicht zwischen sich genommen haben, auf einer Halbleiterwafer, eine Isolierungsschicht in einer Struktur gebildet, die ein erstes zu verarbeitendes Gebiet entsprechend dem jeweiligen Chipgebiet enthält, das ein Stegbildungsgebiet enthält, und ein zweites zu verarbeitendes Gebiet entsprechend einem Randgebiet des jeweiligen Chipgebiets, und danach werden Öffnungen auf der Isolierungsschicht auf beiden Seiten des Stegbildungsgebiets des Laserelements an dem ersten zu verarbeitenden Gebiet gebildet, um ein großes Isolierungsschichtöffnungsverhältnis zu erlangen, und es wird eine Öffnung auf der Isolierungsschicht an dem Bildungsgebiet der Licht aussendenden Facette des Laserelements an dem zweiten zu verarbeitenden Gebiet gebildet, um ein kleines Isolierungsschichtöffnungsverhältnis zu erzeugen, und danach werden Halbleiterschichten, welche durch die Isolierungsschichtöffnungen bloßgelegt sind, durch chemisch reaktives Gasätzen bei einer erhöhten Ätzgeschwindigkeit mit einem reduzierten Isolierungsschichtöffnungsverhältnis geätzt. Es wird daher vermieden, daß die aktive Schicht an beiden Seiten des Stegs bloßgelegt ist, und es wird verhindert, daß sich die Charakteristik des Laserelements infolge der Verschlechterung der ... |
| 公开日期 | 1995-04-06 |
| 申请日期 | 1994-10-05 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64338]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI DENKI K.K. TOKIO/TOKYO JP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | MIYASHITA MOTOHARU. Herstellungsverfahren eines Halbleiterlasers. DE4435657A1. 1995-04-06. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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