半導体光導波路の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 野極 誠二; 須田 一哉; 山本 英二; 濱田 圓; 沖 十九康 |
| 发表日期 | 1993-09-03 |
| 专利号 | JP1993226633A |
| 著作权人 | HIKARI KEISOKU GIJUTSU KAIHATSU KK |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体光導波路の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 光導波路に近接して高抵抗の半導体層を形成する方法において、伝搬モードの制御と優れた電流狭窄性能とを同時にかつ容易に得られるようにする。 【構成】 メサエッチングとイオン注入、あるいは選択結晶成長とイオン注入を共通の選択マスクを用いて行い、セルフアラインメントに光導波路と高抵抗層とを形成する。 |
| 公开日期 | 1993-09-03 |
| 申请日期 | 1992-02-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64342]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HIKARI KEISOKU GIJUTSU KAIHATSU KK |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 野極 誠二,須田 一哉,山本 英二,等. 半導体光導波路の製造方法. JP1993226633A. 1993-09-03. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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