化合物半導体エピタキシャルウェハ及びその製造方法並びに化合物半導体素子
文献类型：专利
| 作者 | 柴田 憲治 |
| 发表日期 | 1999-04-23 |
| 专利号 | JP1999112101A |
| 著作权人 | HITACHI CABLE LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 化合物半導体エピタキシャルウェハ及びその製造方法並びに化合物半導体素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 p型半導体層のドーパントが隣接する半導体層へ拡散するのを防止した化合物半導体エピタキシャルウェハ及びその製造方法並びに化合物半導体素子を提供する。 【解決手段】 Znをドーピングしたp型のAlGaAs半導体層3aでは、Znは主に III族サイトに入り、p型ドーパントとして働く。ここで少数のZnはV族サイトに入り、不安定な結合状態を作り出す。Znの拡散は、主にこのV族サイトに入ったZnに起因していると考えられる。そこで、高いV/III 比でエピタキシャル成長を行い、エピタキシャル成長表面をAs過剰にすることによりIII族サイトの空孔を増加させ、より多くのZnを安定な III族サイトへ供給できる。その結果、Znをドーピングした半導体層から隣接する半導体層へのZnの拡散を抑制できる。 |
| 公开日期 | 1999-04-23 |
| 申请日期 | 1997-09-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64360]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI CABLE LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 柴田 憲治. 化合物半導体エピタキシャルウェハ及びその製造方法並びに化合物半導体素子. JP1999112101A. 1999-04-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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