半導体光デバイス及びその製法
文献类型：专利
| 作者 | 中西 正浩 |
| 发表日期 | 1997-07-22 |
| 专利号 | JP1997191149A |
| 著作权人 | CANON INC |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体光デバイス及びその製法 |
| 英文摘要 | 【課題】いかなる断面形状のリッジであっても台形に整形し、電極切れを起さないリッジ型半導体レーザなどの半導体光デバイス及びその製法である。 【解決手段】半導体光デバイスは、半導体基板1上に少なくとも活性層3とクラッド層4が積層され、活性層3の上部のクラッド層4をストライプ状に加工したリッジを有する。リッジの側面が樹脂材料7により整形され、樹脂材料7を含めたリッジ横断面形状が上部の狭い台形形状になっている。 |
| 公开日期 | 1997-07-22 |
| 申请日期 | 1996-01-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64372]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | CANON INC |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中西 正浩. 半導体光デバイス及びその製法. JP1997191149A. 1997-07-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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