半導体結晶体及びその製造方法、半導体レーザ装置及びその製造方法、半導体受光素子及びその製造方法並びに電界効果トランジスタ及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 大塚 信之; 鬼頭 雅弘; 稲葉 雄一; 石野 正人 |
| 发表日期 | 1997-12-22 |
| 专利号 | JP1997330882A |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体結晶体及びその製造方法、半導体レーザ装置及びその製造方法、半導体受光素子及びその製造方法並びに電界効果トランジスタ及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 大口径の半導体結晶体に、鏡面状態で且つ高濃度の不純物拡散を行なえるようにする。 【解決手段】 半導体の原料にIII 族元素を含む化合物にTMIn及びV族元素を含む化合物にPH3 を用い、不純物拡散種の原料としてII族元素のZnを含む化合物であるDMZnを用いた気相成長法による半導体結晶体の製造方法であって、結晶の成長界面に鏡面状態が得られない通常よりも低い温度、例えば420℃に結晶成長温度を設定し、SnがドープされたInPよりなる基板11の上に、厚さが2μmのアンドープ層12と、アンドープ層12の上に、通常の拡散種Znの飽和濃度よりも大きい5×1018cm-3の濃度の拡散種Znを供給しながら厚さが1μmのZnドープ層13とを順次成長させる。 |
| 公开日期 | 1997-12-22 |
| 申请日期 | 1996-06-11 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64374]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大塚 信之,鬼頭 雅弘,稲葉 雄一,等. 半導体結晶体及びその製造方法、半導体レーザ装置及びその製造方法、半導体受光素子及びその製造方法並びに電界効果トランジスタ及びその製造方法. JP1997330882A. 1997-12-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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