III-V族化合物半導体発光素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 下山 謙司; 清見 和正; 佐藤 義人; 後藤 秀樹 |
| 发表日期 | 1996-10-22 |
| 专利号 | JP1996279653A |
| 著作权人 | 三菱化学株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | III-V族化合物半導体発光素子の製造方法 |
| 英文摘要 | (修正有) 【目的】 リッジ底辺の幅Wおよび残し膜厚dを高寸法精度で形成でき、さらにリッジの側壁にも電流ブロック層が成長するとともに、ボイドの発生も抑制可能なIII-V族化合物半導体の製造方法を提供する。 【構成】 リッジと、リッジを挟んで形成された電流ブロック層110とを有し、かつリッジの側壁に、Al混晶比が前記リッジの両側の底面を形成する層のAl混晶比よりも大きい層を含むIII -V族化合物半導体発光素子を製造するにあたり、電流ブロック層を650℃以下の条件でかつ気相成長法により成長させるIII-V族化合物半導体の製造方法。 |
| 公开日期 | 1996-10-22 |
| 申请日期 | 1995-04-04 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64379]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱化学株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 下山 謙司,清見 和正,佐藤 義人,等. III-V族化合物半導体発光素子の製造方法. JP1996279653A. 1996-10-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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