半導体レーザを有する光学素子
文献类型：专利
| 作者 | 成井 啓修; 土居 正人; 佐原 健志 |
| 发表日期 | 1995-07-28 |
| 专利号 | JP1995193334A |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザを有する光学素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 半導体レーザ、反射鏡、フォトダイオード等の光学部品相互の位置関係の設定を正確に行うことができるようにするとともに、反射効率の高い反射鏡を再現性良く、正確に形成でき、更に製造の簡易化、量産性の向上、信頼性の向上をはかるものである。 【構成】 {100}結晶面を主面とする化合物半導体基板1に、〔01-1〕結晶軸方向に沿って形成された溝2を挟んで第1および第2のメサ11および12が形成され、溝2の少なくとも上記第1のメサ11に隣接する一側面2aが逆メサ状に形成され、第1および第2のメサ11および12上にエピタキシャル半導体層3が形成されて第1のメサ11上に半導体レーザLDが形成され、第2のメサ12上に溝2に隣接する側縁に沿って半導体レーザLDの光出射端面に対向する特定の結晶面からなる反射鏡4が形成された構成とする。 |
| 公开日期 | 1995-07-28 |
| 申请日期 | 1993-12-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64386]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 成井 啓修,土居 正人,佐原 健志. 半導体レーザを有する光学素子. JP1995193334A. 1995-07-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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