半導体レーザ素子及びその作製法
文献类型：专利
| 作者 | 中塚 慎一; 内田 憲治; 佐川 みすず; 菊池 悟 |
| 发表日期 | 1995-04-07 |
| 专利号 | JP1995094830A |
| 著作权人 | HITACHI LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子及びその作製法 |
| 英文摘要 | 【目的】本発明は半導体レ-ザの高出力化の障害となる端面光破壊現象を防止するための端面保護技術に関する。 【構成】半導体レーザの端面部分の活性層を結晶内部に凹ませることにより活性層部分の放熱性を改善し端面光破壊限界を向上する。 【効果】 特殊な装置や技術を必要とせず、化学処理プロセスを追加するだけで半導体レ-ザの光出力を向上できる。 |
| 公开日期 | 1995-04-07 |
| 申请日期 | 1994-07-06 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64389]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中塚 慎一,内田 憲治,佐川 みすず,等. 半導体レーザ素子及びその作製法. JP1995094830A. 1995-04-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。