利得スイッチ半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 野村 良徳; 越智 誠司; 井須 俊郎 |
| 发表日期 | 1999-08-06 |
| 专利号 | JP1999214789A |
| 著作权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 利得スイッチ半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 光ファイバによる高速長距離伝送可能な光通信システムにおいて用いられる半導体レーザに関するものであって、特に信号電流によって直接駆動され、電気信号を超短光パルス信号に変換するために用いられる利得スイッチ半導体レーザを得る。 【解決手段】 本発明による利得スイッチ半導体レーザは、一層の障害壁を挟んでp電極側にある狭い量子井戸とn電極側にある広い量子井戸からなる非対称二重量子井戸構造を活性領域とした半導体レーザにおいて、非対称二重量子井戸の伝導帯において最低次のサブバンドだけが存在できるように量子井戸の厚さ、非対称二重量子井戸を挟む導波路層の組成を適切に選んだ。また、閉じ込め係数を大きくするためにアクセプタを障壁層あるいは障壁層と井戸層にドープした多重量子井戸構造をp電極側に配置し、非対称二重量子井戸構造をn電極側に上記多重量子井戸構造に接して配置した複合構造を活性領域とした。 |
| 公开日期 | 1999-08-06 |
| 申请日期 | 1998-01-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64397]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 野村 良徳,越智 誠司,井須 俊郎. 利得スイッチ半導体レーザ. JP1999214789A. 1999-08-06. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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