AlGaAs化合物半導体の結晶成長方法及び半導体レーザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 石田 真也; 大久保 伸洋 |
| 发表日期 | 1999-03-09 |
| 专利号 | JP1999068235A |
| 著作权人 | SHARP CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | AlGaAs化合物半導体の結晶成長方法及び半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 MOCVD法を用いてAlGaAs成長膜を形成する際には、低いキャリア濃度の成長膜を形成するためには、結晶成長温度を比較的下げて作成していたが、酸素、水などの不純物が多くなり、また、成長層の結晶性も悪化するという問題があった。 【解決手段】 有機金属気相成長方法を用いて、AlxGa1-xAs(x≧0.5)化合物半導体の結晶成長を行う方法において、成長温度が750℃以上850℃であり、V族原料ガス量とIII族原料ガス量との比V/IIIが150以上であるような条件にすることによって、低キャリア濃度であり、酸素など不純物の少なく、結晶性のよいAlGaAs成長膜を得ることができる。 |
| 公开日期 | 1999-03-09 |
| 申请日期 | 1997-08-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64400]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SHARP CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 石田 真也,大久保 伸洋. AlGaAs化合物半導体の結晶成長方法及び半導体レーザの製造方法. JP1999068235A. 1999-03-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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