半導体量子箱の作製方法
文献类型：专利
| 作者 | 今本 浩史 |
| 发表日期 | 1993-04-02 |
| 专利号 | JP1993082912A |
| 著作权人 | オムロン株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体量子箱の作製方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 半導体結晶内に量子箱構造を作製するための方法を提供する。特に、マスクを用いることなく、1回の結晶成長で量子箱を作製する。 【構成】 n-GaAs基板2の(111)B面の上にMEE法によってn-AlGaAs下部クラッド層3とAlGaAs障壁層4を順次成長させる。ついで、通常のMBE法により障壁層4の上にピラミッド状をした多数の量子箱5aからなるGaAs量子箱層5を形成する。つぎに、再びMEE法により量子箱層5の上からAlGaAs障壁層6と、p-AlGaAs上部クラッド層7と、p-GaAsキャップ層8を順次成長させる。この後、n-GaAs基板2の下面にp型電極9を形成するとともにキャップ層8の上面にn型電極10を形成し、量子箱半導体レーザ素子1を製作する。 |
| 公开日期 | 1993-04-02 |
| 申请日期 | 1991-09-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64412]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | オムロン株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 今本 浩史. 半導体量子箱の作製方法. JP1993082912A. 1993-04-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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